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有机食品

添加时间:2015-03-14

  有机食品是通过不施用人工合成的化学物质为手段,利用一系列可持续发展的农业技术,减少生产过程对环境和产品的污染,并在生产中建立一套人与自然和谐的生态系统,以促进生物多样性和资源的可持续利用。


  有机农业生产是在生产中不使用人工合成的肥料、农药、生长调节剂和畜禽饲料添加剂等物质,不采用基因工程获得的生物及其产物为手段,遵循自然规律和生态学原理,采取一系列可持续发展的农业技术,协调种植业和养殖业的关系,促进生态平衡、物种的多样性和资源的可持续利用。有机食品来自于有机农业生产体系,根据有机农业生产要求和相应的标准生产加工的,并通过合法的有机食品认证机构认证的一切农副产品,包括粮食、蔬菜、水果、奶制品、禽畜产品、水产品、蜂产品、调料等。




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    一种单向负阻TVS产品设计

      发布时间:2019-06-20 20:33

      工艺和高效的组装技术等都在手机产品的驱动下快速发展。随着芯片工艺技术、高速快充技术、轻薄小型化要求的提高,EOS 方面可靠性面临着重大的挑战,增强

      电池容量设计的越来越大,各种快充方案都在不断提高充电效率,在充电电路中,充电电流、充电电压越来越高,为保护正向浪涌和负向浪涌,要求使用瞬态抑制二极管TVS(Transient Voltage Suppressor)的正负向浪涌的钳位电压均低于被保护器件的浪涌极限耐压,因此大部分电源和充电端口的保护都趋向于选择单向 TVS[1-6]。较高的规格参数要求,促使双面扩散工艺制作的单向负阻 TVS 器件成为最有效的解决方案。在保护充电 IC 芯片时,单向负阻 TVS 配合 OVP 器件能够达到正向浪涌钳位电压和负向浪涌钳位电压超低的效果,对后端各类 IC 芯片提供很好的保护作用。

      VBUS 端口一般的工作电压为 12~26 V,要求对其保护的 TVS击穿电压较高,芯片设计实现时需要选用外延层浓度较低的材料,由于空间电荷区的关系,击穿方向器件的动态电阻较大,因此器件的钳位电压偏高,容易损坏后端 IC 芯片。正向导通方向,其钳位电压符合要求。单向保护器件结构示意图、封装黏片示意图和电路示意图如图 1、图 2、图 3 所示。

      目标产品的封装形式为 DFN2020,通常采用点胶的上芯工艺,N 衬底 TVS 芯片点胶上芯后封装示意图中,TVS 芯片的N衬底通过导电胶与载体黏合在一起,为了避免产品因为溢胶和上芯偏移而导致的不良情况,要求芯片边缘距离载体边缘大于 100 μm,常规点胶工艺溢胶控制在芯片厚度的 70% 以下。N 衬底 TVS 芯片的 PN 结是由 N 外延层与 P 扩散区组成,位于器件顶部,不会出现短路问题。

      使用双向扩散的薄衬底片结合 SOD123、SMA 等封装的产品已经在 Power TVS、TSS、可控硅等产品中广泛使用,不同于单面进行工艺加工的外延片工艺流程,薄衬底片结合涂源扩散工艺可以实现正反两面深度达 20~50μm 的 PN 结。通过控制推结温度和时间,获得合适的结深、浓度搭配,使得正面到背面的击穿电压及骤回维持电压达到理想值。作为 TVS 应用时,NPN 结构击穿不同于 PN 结击穿,其负阻特性和极低的动态电阻,可以使得 NPN 结构 TVS 钳位电压远低于 PN 结 TVS 钳位电压,达到目标要求的范围内。图 4 为双向 TVS 电路图。

      在消费电子应用及封装小型化时,图 5 结构遇到了第一个问题,其隔离使用的磷硅玻璃(PSG)含有有害物质铅(Pb)。如图 6,使用氧化层隔离代替槽隔离为优选方案,通过在背面设计氧化层图形,实现 N+ 电极的引出与 P+ 保护环的隔离。

      遇到的第二个问题是短路问题,NPN 结构 TVS 芯片的一个 PN 结是由衬底与底部N扩散区组成,位于芯片的底部,虽然在芯片状态使用 PSG 或氧化层实现了隔离,但是在封装时却出现短路问题。芯片背面目标引出的电极是背面 N+,但是由于在黏片时,柔性的导电胶在芯片放置时压力的作用下会出现溢胶,在芯片侧面爬升,未被保护的芯片侧面通过导电胶和芯片背面电极短路,电路功能异常。

      图 7 为槽隔离的双向 TVS 器件封装黏片,图 8 为氧化层隔离的双向 TVS 器件封装黏片。

      首先期望通过改善导电胶涂镀方式,改善短路问题。使用刷胶方式,导电胶到达芯片边缘即停止,导电胶不向芯片侧面爬升。但无论是磷硅玻璃隔离还是氧化层隔离均会出现划片道崩边或划片道硅层裸漏的问题,使得虽然经过很好控制的导电胶仍会与硅层连接,出现微短路。如图 9 为氧化层隔离的双向 TVS 器件封装(刷胶方式)黏片示意图,微短路部分如图 9 中的圆圈位置。

      测试时发现,意外的短路现象可以获得单向负阻特性的 TVS,该结构在具有双向 TVS二极管低钳位电压和低击穿电压优点的同时,又具有单向 TVS 二极管负向浪涌钳位电压低的优点。因此,考虑使用稳定的金属接触代替意外的导电胶与裸硅短路形成单向负阻特性的 TVS。

      综合考虑客户端应用,并分析了单向 TVS 的优缺点和双向 TVS 保护器件封装小型化过程中,隔离方案与封装胶水搭配出现的问题,提出了带负阻特性的单向 TVS 器件。如图 10,取消背面的 PSG 或氧化层隔离,通过金属层将背面电极 N+ 与保护环 P+ 短路,形成单向负阻 TVS 器件,电路图如图 11。

      二极管 Z1 和 Z2 为负阻特性的 NPN 结构,负责从 IO1 至 IO2 正向浪涌电流,即反向击穿方向的电荷泄放路径,在反向击穿时,由于 NPN 穿通后的负阻效应,可以极大地降低钳位电压,对于消费电子设备充电电路中的充电 IC 和电池端口 IC 具有优秀的保护功能;背面 P+、P 型硅衬底、背面 N 型扩散区域构成二极管 D1,负责负向浪涌电流,即正向导通方向的电荷泄放。

      协调设计正背面 N+ 与 P+ 的面积使得正负向浪涌能力均衡。其中值得注意的需要精细设计 N+ 与 P+ 的间距,间距过小会干扰穿通击穿与雪崩击穿的开启关系,间距过大会损失浪涌能力。

      单向负阻 TVS 器件既具有双向 TVS 二极管低钳位电压和低击穿电压的优点,又具有单向 TVS 二极管负向浪涌钳位电压超低的优点,在保护后端 IC 芯片时,正向浪涌钳位电压和负向浪涌钳位电压均比较低,对后端芯片能够起到更好的保护作用。

      因为产品的功能为浪涌防护,浪涌电流峰值为 200 A,计算可知,导电路径上每增加 1 MΩ 的电阻会导致 0.2 V 的钳位电压的升高,即导电胶电阻率会影响到产品的钳位电压。另外,因为导电胶上存在电阻,也会因浪涌电流的通过产生热量,热量是否能够快速传递到框架、塑封体取决于导电胶的热阻。如果热量不能及时传递,热量产生的局部高温会导致导电胶中材质气化,最终导致封装体炸裂。

      使用导电胶或者刷胶黏片的示意图如图 12、图 13。对两种上芯工艺的四种胶水进行了参数对比和浪涌测试对比,结果列于表 2。

      使用刷胶胶水 8008MD 的产品浪涌测试时发现, 50% 的测试样品塑封体炸裂,炸裂位置为芯片和框架载体之间的胶水的位置,分析其原因为以下两方面:(1)胶水的发热主要来自它自身的电阻发热;(2)介质不能够及时散热。

      E1 为电阻产生的热量,ρ 为电阻率,L 为胶水厚度,S 为胶水面积,I 为通过胶水的电流。当产品封装完成时,成品的 L、I 和 S 是固定不变的,此时 E1 与 ρ 成正比,ρ 越大发热量越大,8008MD 的 ρ 值远大于其他胶水的,其产生热量最大。

      E2 为胶水散掉的热量,t 为时间,K 为热导率,L 为散热长度,S 为散热面积,△T 为温度差。热导率 K 主要反应介质散热能力,其定义是指当温度垂直向下梯度为 1 ℃/m 时,单位时间内通过单位水平截面积所传递的热量。散热公式可以得到,当产品封装完成时,成品的浪涌冲击时间 t 和 S、L、△T 是固定的,此时 E2 与 K 成正比,K 越大散热量越大,成品散热能力越好。

      如前文所述,为了避免产品因为溢胶和上芯偏移而导致的不良情况,点胶工艺中,要求芯片边缘距离载体边缘大于 100 μum;刷胶工艺中,不存在溢胶问题,芯片可以和载体尺寸相等,因此刷胶胶水 8008HT 发热量和产品散热与点胶胶水能力相当的情况下,可以允许更大的芯片尺寸。

      一方面,8008HT 可使得芯片尺寸增大;另一方面,8008HT2V 胶水电阻率略小,两者比较, 8008HT 增大了芯片尺寸的产品可以获得更优的浪涌能力。

      分析了单向 TVS 的优缺点和双向 TVS 保护器件封装小型化过程中,隔离方案与封装胶水搭配出现的问题,综合考虑客户端应用,提出了带负阻特性的单向 TVS 器件。对比分析几种胶水对产品的影响,并最终选择配合刷胶胶水应用于产品设计实现中。

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      AD5542A 2.7 V至5.5 V、串行输入、电压输出、16/12位nanoDAC™,提供16引脚3 MM X 3 MM LFCSP和16引脚TSSOP封装

      信息优势和特点 2/16位分辨率 1LSB INL 噪声频谱密度:11.8 nV/√Hz 建立时间:1 μs 毛刺能量:1.1 nV-s 温度漂移:0.05 ppm/°C 5 kV HBM ESD额定值 欲了解更多特性,请参考数据手册 同时提供16引脚TSSOP封装产品详情AD5512A/AD5542A是单通道、12/16位、串行输入、无缓冲电压输出数模转换器(DAC),采用2.7 V至5.5 V单电源供电。DAC输出范围为0 V至VREF,保证单调性,提供1 LSB INL精度(16位),无需调整,额定温度范围为−40°C至+85°C (AD5542A)或−40°C至+125°C (AD5512A)。AD5512A/AD5542A提供无缓冲输出,建立时间为1 μs,失调误差小,非常适合高速开环控制应用。AD5512A/AD5542A采用双极性工作模式,可产生±VREF输出摆幅。二者还含有用于基准电压与模拟接地引脚的开尔文检测连接,以降低布局敏感度。AD5512A/AD5542A提供16引脚LFCSP封装,AD5542A还提供10引脚LFCSP和16引脚TSSOP两种封装。AD5512A/AD5542A采用多功能三线 MHz SPI、QSPI™、MICROWIRE™、DSP接口标准兼容。应用-自动测试设备-精密源测量仪器...

      信息优势和特点 完全16位性能 3 V和5 V单电源供电 低功耗:0.625 mW 建立时间:1 μs 无缓冲电压输出能够直接驱动60 kΩ负载 SPI/QSPI/MICROWIRE兼容接口标准 上电复位可将DAC输出清零至0 V(单极性模式) 5 kV HBM ESD额定值 低毛刺:1.1 nV-s产品详情AD5541/AD5542均为单通道、16位、串行输入、电压输出数模转换器(DAC),采用2.7 V至5.5 V单电源供电。DAC输出范围为0 V至VREFDAC输出范围为0 V至VREF,保证单调性,提供1 LSB INL精度(16位),无需调整,额定温度范围为−40°C至+85°C。AD5541/AD5542提供无缓冲输出,实现了1 μs建立时间、低功耗和低失调误差等特性。这些器件提供11.8 nV/√Hz的低噪声性能和低毛刺,适合多种终端系统使用。AD5542能够以双极性模式工作,可产生±VREF 输出摆幅。它还含有用于基准电压与模拟接地引脚的开尔文检测连接,以减小布局敏感度。AD5541/AD5542采用多功能三线式接口,并且与SPI、QSPI™、MICROWIRE™、DSP接口标准兼容。AD5541/AD5542提供8引脚和14引脚SOIC两种封装。应用 - 数字增益和失调电压调整 - 自动测试...

      信息优势和特点 高度集成:32通道、14位DAC 集成高压输出放大器 保证单调性 采用15 x 15 mm、CSPBGA封装 满量程输出电压可编程范围为50V至200V,通过基准电压输入编程设置 700 µA驱动能力 集成硅二极管用于温度监控 DSP/微兼容串行接口 通道更新速率:1.2 MHz 异步RESET设置 温度范围:-10ºC至+85ºC 产品详情AD5535是一款32通道、14位DAC,内置一个高压输出放大器。这款器件的目标应用为光学微机电系统(MEMS)。输出电压范围可以通过REFIN引脚编程设置。当REFIN = 1 V时,输出范围为0 V至50 V;当REFIN = 4 V时,输出范围为0 V至+200 V。每个放大器可以提供700 µA电流输出,特别适用于偏转和控制光学MEMS镜。输出放大器的增益G = 50,由一个14位DAC驱动,DAC输出范围在0至VREF之间变化,具体取决于加载到相关DAC寄存器的代码。选定的DAC寄存器通过三线式接口写入。该串行接口能够以最高30 MHz的时钟速率工作,并且与DSP和微接口标准兼容。该器件的工作参数如下:AVCC = 4.75 to 5.25V, DVCC = 2.7 V to 5.25 V, V- = -4.75 to -5.25 V, V+ = +4.75V to...

      AD5541A 2.7 V至5.5 V、串行输入、电压输出、16/12位nanoDAC™ ,采用8引脚、3 mm × 3 mm LFCSP封装

      信息优势和特点 16位分辨率 噪声频谱密度:11.8 nV/√Hz 建立时间:1 μs 毛刺能量:1.1 nV-s 温度漂移:0.05 ppm/°C 5 kV HBM ESD额定值 3 V电源时,功耗为0.375 mW 2.7 V至5.5 V单电源供电 硬件CS和LDAC功能 50 MHz SPI/QSPI/MICROWIRE/DSP兼容接口 上电复位可将DAC输出清零至零电平 提供3 mm × 3 mm、8/10引脚LFCSP和10引脚MSOP封装 产品详情AD5541A是一款单通道、16位、串行输入、无缓冲电压输出数模转换器(DAC),采用2.7 V至5.5 V单电源供电。DAC输出范围为0 V至VREF,保证单调性,提供±1 LSB INL精度(16位),无需调整,额定温度范围为−40°C至+125°C。AD5541A提供3 mm ×3 mm、10引脚LFCSP和10引脚MSOP封装。AD5541A-1采用3 mm × 3 mm、8引脚LFCSP封装。AD5541A提供无缓冲输出,实现了1 μs建立时间、低功耗和低失调误差等特性。它提供11.8 nV/√Hz的低噪声性能和低毛刺,适合多种终端系统使用。AD5541A采用多功能三线 MHz SPI、QSPI™、MICROWIRE™、DSP接口标准兼容。产品特色 16位性能,...

      信息通用二极管,将高正向导电快速开关以及高阻塞电压整合至无铅玻璃LL-34表面贴装封装中。 伸缩缝的布局与第一色带所指示的阴极端子的位置无关。This product is general usage and suitable for many different applications.

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      信息LCX125包含四个带3态输出的独立同相缓冲器。 输入容许电压达7V,允许5V系统到3V系统的连接。 74LCX125采用先进的CMOS技术制造,以在实现高速运行的同时保持CMOS低功耗。 5V容差输入和输出 提供2.3V-3.6V V规格 6.0 ns t最大值(V = 3.3V),10 µA I最大值 掉电高阻抗输入和输出 支持带电插/拔(注1) ±24 mA输出驱动(V = 3.0V) 实施专利噪声/电磁干扰(EMI)消减电路 闩锁性能超越JEDEC 78条件 ESD性能:模型

      2000V 机器模型

      信息LCX06包含六个反相器/缓冲器。 输入容许电压达7V,允许5V系统到3V系统的连接。 LCX06的输出为漏极开路,能连接至其他漏极开路输出以实现低电平有效线AND或高电平有效线采用先进的CMOS技术制造,以在实现高速运行的同时保持CMOS低功耗。 5V容许输入电压 提供2.3V-3.6V V规格 3.7 ns t最大值(V = 3.3V),10 µA I最大值 掉电高阻抗输入和输出 24 mA输出驱动(V= 3.0V) 实施专利噪声/电磁干扰(EMI)消减电路 闩锁性能超过500 mA 与74系列05功能兼容 静电放电(ESD)性能: 模型

      2000V 机械模型

      信息LCX11是一款三路3输入AND门,带缓冲输出。 LCX器件设计用于低压(2.5V或3.3V)运行,并增加了与5V信号环境接口的能力。 74LCX11采用先进的CMOS技术制造,以在实现高速运行的同时保持CMOS低功耗。 5V容差输入和输出 提供2.3V-3.6V V规格 6.0ns t最大值(V = 3.3V),10 μA I最大值 掉电高阻抗输入和输出 ±24 mA输出驱动(V = 3.0V) 实施专利噪声/电磁干扰(EMI)消减电路 闩锁性能超越JEDEC 78条件 静电放电(ESD)性能: 模型

      2000V 机械模型

      信息LCX08 包含四个 2 输入“与”门。输入容许电压达7V,允许5V系统到3V系统的连接。 74LCX08 采用先进的 CMOS 技术制造,以在实现高速运行的同时保持 CMOS 低功耗。5V 容许输入电压提供 2.3V-3.6V V规格5.5 ns t 最大值 (V = 3.3V),10 µA I 最大值掉电高阻抗输入和输出±24 mA 输出驱动 (V = 3.0V)实施专利噪声/电磁干扰(EMI)消减电路• 闩锁性能超越 JEDEC 78 条件静电放电 (ESD) 性能:模型

      2000V 机械模型

      信息LCX00包含四个2输入“与非”门。 输入容许电压达7V,允许5V系统到3V系统的连接。 74LCX00采用先进的CMOS技术制造,以在实现高速运行的同时保持CMOS低功耗。 5V容许输入电压 提供2.3V-3.6V V规格 5.2 ns t最大值(V = 3.3V),10 µA I最大值 掉电高阻抗输入和输出 ±24 mA输出驱动(V = 3.0V) 实施专利噪声/电磁干扰(EMI)消减电路 闩锁性能超越JEDEC 78条件 静电放电(ESD)性能: 模型

      2000V 机械模型

      信息LCX02包含四个2输入“与非”门。 输入容许电压达7V,允许5V系统到3V系统的连接。 74LCX02采用先进的CMOS技术制造,以在实现高速运行的同时保持CMOS低功耗。 5V容许输入电压 提供2.3V-3.6V V规格 5.2 ns t最大值(V = 3.3V),10 µA I最大值 掉电高阻抗输入和输出 ±24 mA输出驱动(V = 3.0V) 实施专利噪声/电磁干扰(EMI)消减电路 闩锁性能超过500 mA 静电放电(ESD)性能: 模型

      2000V 机械模型

      信息LCX04包含六个反相器。输入容许电压达7V,允许5V系统到3V系统的连接。74LCX04采用先进的CMOS技术制造,以在实现高速运行的同时保持CMOS低功耗。 5 V 容差输入 提供2.3V-3.6V V规格 5.2 ns t最大值(V = 3.3V),10 µA I最大值 掉电高阻抗输入和输出 ±24 mA 输出驱动 (V= 3.0 V) 实施专利噪声/电磁干扰(EMI)消减电路 闩锁性能超越JEDEC 78条件 静电放电(ESD)性能:模型

      2000 V 机械模型

      74ALVC00 低压四路2输入与非门(3.6V容许输入和输出电压)

      信息ALVC00包含四个2输入“与非”门。 此产品设计用于I/O兼容性达到3.6V的低压(1.65V至3.6V)V应用。 ALVC00采用先进的CMOS技术制造,以在实现高速运行的同时保持CMOS低功耗。 1.65V至3.6V V电源操作范围 3.6V容差输入和输出电压 t最长3 ns,3.0V到3.6V V最长3.5 ns,2.3V到2.7V V最长4.4 ns,1.65V到1.95V V 断电高阻抗输入和输出 使用专有Quiet Series™ 噪声/电磁干扰(EMI)消减电路 闩锁符合JEDEC JED78规定 静电放电(ESD)性能: 模型

      2000V 机械模型

      74ALVC08 低压四路2输入与非门(3.6V容许输入和输出电压)

      信息ALVC08包含四个2输入AND门。 此产品设计用于I/O兼容性达到3.6V的低压(1.65V至3.6V)V应用。 ALVC08采用先进的CMOS技术制造,以在实现高速运行的同时保持CMOS低功耗。 1.65V至3.6V V电源操作范围 3.6V容差输入和输出电压 t最长2.9 ns,3.0V到3.6V V最长3.2 ns,2.3V到2.7V V最长5.3 ns,1.65V到1.95V V 断电高阻抗输入和输出 使用专有Quiet Series™ 噪声/电磁干扰(EMI)消减电路 闩锁符合JEDEC JED78规定 静电放电(ESD)性能: 模型

      2000V 机械模型

      信息 74ALVC16244是一款高级性能的非反相16位缓冲器。它专为1.8 V,2.5 V或3.3 V系统中的高速,低功耗工作而设计。 74ALVC16244采用半字节控制,每个半字节功能相同但独立。控制引脚可连接在一起获得完整的16位操作。 3态输出由每个半字节的输出使能(OEnbar)输入控制。当(OEnbar)为低电平时,输出开启。当(OEnbar)为高电平时,输出处于高阻态。 设计用于低电压操作:V = 1.65-3.6 V 3.6 V容差输入和输出 高速操作 静态驱动 支持实时插入和退出 当V = 0 V时,IOFF规范保证高实现 所有三种逻辑状态(40μA)的近零静态电源电流 闩锁性能在125°C时超过±250 mA ESD性能:模型≥2000V;机器型号≥200V 符合行业标准的第二来源74ALVC16244...

      74ALVC162244 低电压16位缓冲/线V容差输入和输出,输出端带26 Ohm串联电阻

      信息ALVC162244包含16个具有3态输出的同相缓冲器,可用作内存和地址驱动器、时钟驱动器或总线导向发射器/接收器。 该器件为半字节(4位)件。 每个半字节均有独立的3态控制输入,可以短接在一起进行完整的16位运行。 74ALVC162244设计用于低电压(1.65V到3.6V)V应用,I/O能力最高可达3.6V。 74ALVC162244也设计为输出端带26ohm串联电阻。 此设计可降低应用中的线路噪声,如内存地址驱动器、时钟驱动器,或总线导向发射器/接收器。 74ALVC162244采用先进的CMOS技术制造,以在实现高速运行的同时保持CMOS低功耗。 1.65V至3.6V V电源操作范围 3.6V容差输入和输出电压 输出端带26ohm串联电阻 t最长3.8 ns,3.0V到3.6V V最长4.3 ns,2.3V到2.7V V最长7.6 ns,1.65V到1.95V V 断电高阻抗输入和输出 支持带电插拔 使用专利噪声/电磁干扰(EMI)消减电路 闩锁符合JEDEC JED78规定 静电放电(ESD)性能: 模型

      2000V 机械模型

      信息高电压通用二极管采用工艺1H设计。This product is general usage and suitable for many different applications.

      信息产品分类接口和隔离 IOS子系统产品详情AC1367是一款电压开关输入模块,支持将高电平预调理模拟信号方便、低成本、安全地连接到5B系列背板连接器。这个模块接受-5V至+5V输入,提供-5V至+5输出,同时能够保护计算机侧电路免受现场侧过压故障影响。输入信号无增益或衰减,输出未隔离。此外,AC1367模块支持混搭使用和热插拔,可以在不中断系统电源的情况下将其插入或拔出同一背板中的任何插槽。...

      信息采用工艺1H设计。 如需相关特性,请参见MMBD1401。This product is general usage and suitable for many different applications.

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